WEBREVIEW

Mecanismes de formation des defauts dans le a-si:h A l’equilibre et sous l’illumination.

A l’équilibre thermodynamique, la création des défauts dans la structure du silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) est le résultat
de la conversion des liaisons faibles en liaisons pendantes provoquée par la diffusion de l’hydrogène. L’application de la loi de
l’effet de masse à cette réaction suivant le modèle defect pool permet la détermination de la densité d’états des défauts dans le
gap d’énergie. Lorsque le matériau est exposé à la lumière, la densité totale des défauts augmente. Nous proposons un nouveau
modèle pour simuler la cinétique de création des défauts induits par la lumière selon lequel l’évolution de la densité totale des
défauts se trouve en accord avec les mesures expérimentales généralement observées.


Document joint


 
| info visites 3367747

Suivre la vie du site fr  Suivre la vie du site Science et Technologie  Suivre la vie du site Courrier du Savoir  Suivre la vie du site Numéro 03   ?

Creative Commons License