WEBREVIEW

Nouvel Algorithme De Simulation Monté Carlo Du Courant Ebic Dans Les Semiconducteurs

Nous avons développé un nouvel algorithme de simulation Monte Carlo pour calculer le courant EBIC. Cet algorithme simule
d’abord les trajectoires des électrons incidents et la dissipation d’énergie qui détermine la génération des porteurs à l’intérieur
du semi-conducteur sous bombardement électronique. La fonction de génération des porteurs en excès ainsi obtenue est sous la
forme d’une distribution tridimensionnelle de sources ponctuelles Si dans le volume de génération. Nous avons calculé la
trajectoire de chaque porteur minoritaire généré par différentes sources Si jusqu’à sa collection à la surface d’un contact
Schottky ou sa recombinaison. Nous avons discuté l’effet de l’énergie E0 des électrons incidents et la longueur de diffusion L des porteurs minoritaires sur l’efficacité de collecte η de diode Schottky à base de germanium. Nos résultats sont en bons accords avec ceux publiés dans la littérature.


Document joint


Auteur(s)

Ledra M.

 
| info visites 3363511

Suivre la vie du site fr  Suivre la vie du site Science et Technologie  Suivre la vie du site Courrier du Savoir  Suivre la vie du site Numéro 07   ?

Creative Commons License