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Effet Des Condition De Dépôt Sur Les Propriétés Electriques Des Couches Minces D’oxyde De Zinc Et Mécanismes De Diffusion

les couches minces d’oxyde de zinc (ZnO) sont élaborées par la technique de transport en phase gazeuse à partir de la poudre de ZnO dans une atmosphère d’hydrogène. Les paramètre des couches ont été étudiés en utilisant les mesures d’effet Hall et de conductibilité électrique .Lorsque la température varie de 115 K à 500 K, quelle que soient les conditions d’obtention des couches de ZnO, la concentration des électrons augmente à cause de la forte solubité des impuretés donneurs (Zn et H) .Différents mécanismes limitent la mobilité des porteurs dans les films, et selon la température, chacun d’eux peut jouer un rôle déterminant .Suivant le domaine de température , le mécanisme de diffusion des électrons dans ZnO est une combinaison de diffusions par des impuretés neutres ou chargées et par les phonons.Pour les couches obtenues à la température T substrat situées entre 870 et 910 Ket T creuset comprise entre 990 et 1000 K , Les mesures électriques par effet Hall montrent que la mobilité des électrons atteint son maximum d’environ 640 cm2 V 1 S-1 115K et vaut 140 à 160 cm2 V 1 S-1 à 300 K.


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