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Etude analytique d’une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)

Afin de réduire les pertes par recombinaison dans la zone de charge d’espace pour les
cellules GaAs, nous proposons une structure p+ (GaAs)/ n (AlxGa1-xAs)/ N (Al0.4Ga0.6As) avec une
interface à bande interdite graduelle entre l’émetteur p+ (GaAs) et la base N (Al0.4Ga0.6As). Le
courant de recombinaison dans une telle cellule est discuté, ainsi que l’influence de ce courant sur
les caractéristiques photovoltaïques. L’épaisseur de la couche à bande interdite graduelle n (AlxGa1-
xAs) a été étudié, il est de l’ordre de 800 à 900 Å.


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