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Elaboration et étude des couches minces de SnO2 obtenu par évaporation sous vide et recuites sous oxygène

Le dioxyde d’étain est un matériau largement utilisé dans différents domaines
d’applications électroniques et optiques, notamment, dans la conception des cellules photovoltaïques
nanocristallines à base de colorant qui est notre objectif. Cet article présente l’élaboration des
couches minces de dioxyde d’étain par recuit sous oxygène de couches minces d’étain obtenues par
évaporation sous vide. Cette méthode consiste à évaporer sous vide des couches d’étain sur des
substrats en verre ordinaire. Dans un premier temps, nous avons remarqué que l’épaisseur de la
couche d’étain ainsi que le temps de recuit influe sur la cristallinité de la couche de SnO2. Ainsi, un
recuit effectué à 300 °C sous oxygène laisse la couche amorphe. Le SnO2 est obtenu pour un recuit
de 2 heures à 500 °C d’une couche de 1000 Å d’étain. C’est pour cette raison que nous choisissons
des couches d’épaisseur 1000 Å et des températures de recuit de 500 °C. Dans ces conditions et sous
flux d’oxygène, on obtient la cristallisation du Sn en SnO2 de structure tétragonale. L’analyse par
diffraction de rayons X permet de déterminer la nature des phases formées. Le film d’étain formé par
évaporation sous vide est cristallin il est de structure tétragonale composé de grains de différentes
tailles séparés par des joints de grains. A 500 °C et pour une durée de recuit de deux heures le
dioxyde d’étain (SnO2) de structure tétragonal apparaît et augmente en quantité lorsque le temps de
recuit augmente et cela jusqu’à dix heures. Les différentes techniques d’analyse utilisées telles que la
Microscopie électronique environnementales, l’analyse EDX et DRX se complètent pour confirmer
les résultats obtenus.


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