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Electrically Active Defects in Silicon after various Optical Thermal Processing

Des diodes Schottky sont réalisées sur du silicium monocristallin de type n après des traitements thermiques optiques par laser pulsé ou par impulsions lumineuses en « flash ». Les caractéristiques électriques de ces diodes sont mesurées en fonction de la densité d`énergie déposée. Leurs paramètres électriques principaux montrent une grande dégradation à partir d`une énergie seuil qui fait fondre les surfaces irradiées. Les mesures capacitives et analyses DLTS montrent la présence de plusieurs niveaux profonds associés à des centres donneurs dans les zones traitées. Ces résultats sont comparés à ceux parallèlement obtenus sur des échantillons de type p ayant subi des traitements isothermiques conventionnels ou rapides


Auteur(s)

Barhdadi A.

 
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